品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:2.127nF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:2.127nF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:2.127nF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6002LPS-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:167W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:130.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.555nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24.1nC@10V
输入电容:1.293nF@30V
连续漏极电流:6.1A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6023SK3Q-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.569nF@30V
连续漏极电流:35A
类型:1个P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SFGQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1293pF@30V
连续漏极电流:6.1A€18A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6021SK3Q-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.143nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,12A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6021SK3Q-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.143nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,12A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6023SK3Q-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.569nF@30V
连续漏极电流:35A
类型:1个P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
栅极电荷:17nC@10V
功率:3.2W
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
导通电阻:17mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: