品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
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阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
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类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
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阈值电压:3V @ 250µA
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类型:N 通道
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导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
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导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
功率:600mW(Ta)
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漏源电压:60V
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类型:N 通道
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