品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6016LPS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.23W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:10.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6016LPS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.23W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:10.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:19.5mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6016LPS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.23W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:10.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: