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    品牌
    漏源电压
    60V
    栅极电荷
    行业应用
    品牌: DIODES
    漏源电压: 60V
    栅极电荷: 13.9nC@10V
    当前匹配商品:2
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6018LDR-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:13.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:869pF@30V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:17mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:13.9nC@10V

    输入电容:869pF@30V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:17mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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