品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:3.9W€180W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):DMTH6004SCTB-13
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
连续漏极电流:100A
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6012LK3Q-13
输入电容:1926pF@30V
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:35.2nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
导通电阻:12mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LFDFWQ-7R
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:18mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:9.4A
功率:1.06W
栅极电荷:15.3nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
栅极电荷:17nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€37.5W
导通电阻:16mΩ@20A,10V
连续漏极电流:9.8A€37A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
输入电容:584pF@25V
包装方式:卷带(TR)
功率:2.9W
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:8.8nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:24A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6022SSDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:7.1A€22.6A
包装方式:卷带(TR)
功率:1.5W
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:2127pF@25V
导通电阻:27mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6002LPS-13
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:130.8nC@10V
导通电阻:2mΩ@50A,10V
功率:167W
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
输入电容:6555pF@30V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6022SSD-13
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:7.1A€22.6A
包装方式:卷带(TR)
功率:1.5W
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:2127pF@25V
导通电阻:27mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:3.9W€180W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:3.9W€180W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3-13
功率:2.1W€100W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:47.1nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2962pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6012SPSQ-13
输入电容:1926pF@30V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
栅极电荷:35.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:11mΩ@50A,10V
功率:1.6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPS-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
栅极电荷:17nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:16mΩ@20A,10V
连续漏极电流:10.6A€37.1A
功率:3W€37.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3-13
功率:2.1W€100W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:47.1nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2962pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010LPSWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€75W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:8mΩ@20A,10V
栅极电荷:41.3nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:2090pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6012LK3Q-13
输入电容:1926pF@30V
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:35.2nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
导通电阻:12mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6250S-13
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:8.3nC@10V
功率:920mW
漏源电压:60V
输入电容:512pF@30V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@2A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SK3Q-13
输入电容:584pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:50mΩ@6A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:8.8nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:25A
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6022SSD-13
包装方式:卷带(TR)
功率:1.5W
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:7.1A€22.6A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:2127pF@25V
导通电阻:27mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LFDFW-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:18mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:9.4A
功率:1.06W
栅极电荷:15.3nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010LPD-13
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:40.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2615pF@30V
导通电阻:11mΩ@20A,10V
功率:2.8W
连续漏极电流:13.1A€47.6A
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.2A€59A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:3.2W€60W
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1925pF@30V
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6012SPSQ-13
输入电容:1926pF@30V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
栅极电荷:35.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:11mΩ@50A,10V
功率:1.6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LFDFW-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:18mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:9.4A
功率:1.06W
栅极电荷:15.3nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:19mΩ@10A,10V
连续漏极电流:9.2A€33.2A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:2.5W€37.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LFDFWQ-7R
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:18mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:9.4A
功率:1.06W
栅极电荷:15.3nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.2A€23.6A
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:1377pF@30V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
功率:1.9W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6250SQ-13
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:8.3nC@10V
功率:920mW
漏源电压:60V
输入电容:512pF@30V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@2A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.2A€59A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:3.2W€60W
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1925pF@30V
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: