采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0LFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17E6TA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：60V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
功率：1.1W
输入电容：637pF@30V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A13GTA
输入电容：219pF@30V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.7A
漏源电压：60V
栅极电荷：5.9nC@10V
导通电阻：390mΩ@900mA，10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002Q-7-F
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
功率：370mW
栅极电荷：0.233nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DWS-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：41pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
导通电阻：4Ω@500mA，10V
功率：290mW
ECCN：EAR99
连续漏极电流：247mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A13FTA
输入电容：219pF@30V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：60V
栅极电荷：5.9nC@10V
类型：P沟道
功率：625mW
连续漏极电流：900mA
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
导通电阻：400mΩ@900mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0LFB-7
功率：470mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：2Ω@100mA，4V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
漏源电压：60V
栅极电荷：0.45nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
输入电容：32pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6QTA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
功率：1.1W
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17KTC
功率：2.11W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：60V
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：4.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-7
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8.6nC@10V
类型：N-Channel
漏源电压：60V
连续漏极电流：2.3A
输入电容：315pF@40V
阈值电压：3V@250µA
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN67D8L-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：210mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
输入电容：22pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：0.82nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6075S-7
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：606pF@20V
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.2A，10V
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSD-13
输入电容：502pF@30V
功率：1.8W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.3A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D9U-7
输入电容：28.5pF@30V
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：0.4nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：2Ω@50mA，5V
功率：370mW
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：380mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-7
栅极电荷：0.3nC@4.5V
导通电阻：2Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：380mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25GTA
输入电容：1063pF@30V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：20.4nC@10V
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
阈值电压：1V@250µA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6018LPSQ-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W€113W
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：60V
栅极电荷：13.7nC@10V
输入电容：3505pF@30V
类型：P沟道
连续漏极电流：60A
导通电阻：18mΩ@17A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMHC6A07T8TA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：300mΩ@1.8A，10V
输入电容：166pF@40V€233pF@30V
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
功率：1.3W
连续漏极电流：1.6A€1.3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6068SE-13
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：10.3nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：4.1A
输入电容：502pF@30V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
功率：2W
导通电阻：68mΩ@12A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SFG-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
漏源电压：60V
类型：P沟道
功率：1.1W
导通电阻：50mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6185SK3-13
导通电阻：150mΩ@12A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：14nC@10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
连续漏极电流：9.4A
输入电容：708pF@30V
功率：1.6W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002W-7-F
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：13.5Ω
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
功率：200mW
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UDW-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
阈值电压：1V@250µA
输入电容：32pF@30V
ECCN：EAR99
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
连续漏极电流：350mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP3306FTA
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
连续漏极电流：90mA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
输入电容：50pF@18V
漏源电压：60V
阈值电压：3.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A07FTA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
输入电容：166pF@40V
漏源电压：60V
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
功率：625mW
栅极电荷：3.2nC@10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0LFD-7
输入电容：31pF@25V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：2Ω@100mA，4V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：1V@250µA
功率：480mW
连续漏极电流：310mA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18KTC
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：6.8A
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
功率：2.15W
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6018LDR-13
输入电容：869pF@30V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：8.8A
漏源电压：60V
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
功率：1.9W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LW-7
连续漏极电流：300mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3Ω@115mA，10V
输入电容：22pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@250µA
功率：300mW
栅极电荷：0.87nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
