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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6016LK3-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：46.9A€10.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6016LK3-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：46.9A€10.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP75GTA
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，700mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
