采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT616MLSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.39W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：150μA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT616MLSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.39W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT616MLSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.39W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：270mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT616MLSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.39W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.7nC@10V
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，2.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
