采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106GTA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：450mA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：5Ω@10V，500mA
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
输入电容：100pF@18V
功率：2W
阈值电压：3.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106GTA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：450mA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：5Ω@10V，500mA
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
输入电容：100pF@18V
功率：2W
阈值电压：3.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
