品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6007LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@30V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A11GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@40V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@18V
连续漏极电流:710mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6017LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@30V
连续漏极电流:17.3A€82A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6015LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.16W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1103pF@30V
连续漏极电流:10.6A€31A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6075SQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:606pF@20V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:430mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D9UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:440mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28.5pF@30V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D8LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:390mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:0.74nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.9pF@12V
连续漏极电流:470mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@150mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6068SEQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206GVTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306A
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6068LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.12W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D9L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:335mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6017LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6075S-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:606pF@20V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6007LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@30V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€139W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8306pF@30V
连续漏极电流:215A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6005LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€125W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:47.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2962pF@30V
连续漏极电流:17.9A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D9L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:335mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1063pF@30V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@115mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D8LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:390mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:0.74nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.9pF@12V
连续漏极电流:470mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@150mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6017LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: