采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN66D0LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DWS-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：247mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN66D0LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DW-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DMK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：510mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DWQ-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN66D0LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DWQ-13-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DW-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN66D0LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN66D0LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：4.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6018LDR-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002VC-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：4.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6018LDR-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
