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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16DN8QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
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规格型号(MPN)：ZXMP6A16DN8TA
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规格型号(MPN)：ZXMP6A17DN8TA
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输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP6110SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
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功率：1.2W
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ECCN：EAR99
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功率：1.81W
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类型：2个P沟道（双）
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规格型号(MPN)：ZXMP6A18DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
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类型：2个P沟道（双）
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连续漏极电流：3.7A
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导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
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规格型号(MPN)：ZXMP6A18DN8TA
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导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@5A，10V
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连续漏极电流：3.3A
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导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
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功率：1.81W
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输入电容：637pF@30V
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导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
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规格型号(MPN)：DMP6110SSD-13
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连续漏极电流：3.3A
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功率：1.8W
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输入电容：1580pF@30V
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