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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
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功率：310mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
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类型：N沟道
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漏源电压：300V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
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功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
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栅极电荷：7.6nC@10V
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输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
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功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-7
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功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
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功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN30H4D0LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN30H4D0LFDE-7
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功率：630mW
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栅极电荷：7.6nC@10V
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输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
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功率：310mW
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栅极电荷：7.6nC@10V
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输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
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导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
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栅极电荷：7.6nC@10V
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输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
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输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
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导通电阻：4Ω@300mA，10V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：7.6nC@10V
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输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-7
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功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
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功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-7
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功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN30H4D0LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
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功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
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漏源电压：300V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN30H4D0LFDE-7
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功率：630mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
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功率：310mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-7
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功率：310mW
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栅极电荷：7.6nC@10V
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输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
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功率：630mW
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
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漏源电压：300V
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行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
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导通电阻：4Ω@300mA，10V
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行业应用：工业,汽车
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