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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH32M5LPSQ-13
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH32M5LPSQ-13
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH32M5LPSQ-13
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3061SWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：278pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3061SWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：278pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH32M5LPSQ-13
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH32M5LPSQ-13
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3061SWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：278pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH32M5LPSQ-13
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
