采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG5802LFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1066.4pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG5802LFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1066.4pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG5802LFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1066.4pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG5802LFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1066.4pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG5802LFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1066.4pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG5802LFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1066.4pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG5802LFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1066.4pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG5802LFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1066.4pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG5802LFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1066.4pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG5802LFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1066.4pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG5802LFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1066.4pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
