品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
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功率:650mW
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输入电容:282pF@10V
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类型:P沟道
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漏源电压:16V
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
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功率:650mW
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规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
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类型:P沟道
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功率:650mW
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功率:650mW
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功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
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类型:P沟道
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功率:650mW
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功率:650mW
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漏源电压:16V
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包装方式:卷带(TR)
漏源电压:16V
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功率:650mW
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类型:P沟道
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工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
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工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
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规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
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类型:P沟道
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规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
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