品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMSTA64-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):800mV@1mA,40mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):250@300mA,5V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:250mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47TA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA63-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47TA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMSTA63-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTN04120HKTC
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1.5A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA64-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT634TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):900mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT634TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):900mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT38CTA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):300mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV46TA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:200MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT634QTA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):900mA
功率:806mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMSTA64-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT38CTA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):300mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47TA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT634QTA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):900mA
功率:806mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA64-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT38CTA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):300mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA64-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT634QTA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):900mA
功率:806mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV49TA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47TA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA14-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV49TA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: