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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-13-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D9UFZ-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.5pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DW-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138Q-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DW-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：散装
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4106FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：425mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.58nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4106FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：425mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.58nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1555UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.84nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55.4pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NMSD200B01-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NMSD200B01-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：425mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.58nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138Q-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-13-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：425mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.58nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：425mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.58nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP210DUFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1555UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.84nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55.4pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：散装
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
