采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN7410
功率：20.8W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9.8nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：14mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H038SPDW-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€39W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：散装
输入电容：544pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：2个N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
输入电容：584pF@25V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：50mΩ@6A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：8.8nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：25A
阈值电压：3V@250µA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4905STRLPBF-ES
功率：30W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4.295nF@30V
连续漏极电流：25A
反向传输电容：140pF@30V
导通电阻：22mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN7410
功率：20.8W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9.8nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：14mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN7410
功率：20.8W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9.8nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：14mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4905STRLPBF-ES
功率：30W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4.295nF@30V
连续漏极电流：25A
反向传输电容：140pF@30V
导通电阻：22mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4905STRLPBF-ES
功率：30W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4.295nF@30V
连续漏极电流：25A
反向传输电容：140pF@30V
导通电阻：22mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS412DN-T1-GE3-ES
功率：20.8W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：9.8nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：14mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS412DN-T1-GE3-ES
功率：20.8W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：9.8nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：14mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4905STRLPBF-ES
功率：30W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4.295nF@30V
连续漏极电流：25A
反向传输电容：140pF@30V
导通电阻：22mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS412DN-T1-GE3-ES
功率：20.8W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：9.8nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：14mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN7410
功率：20.8W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9.8nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：14mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4905STRLPBF-ES
功率：30W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4.295nF@30V
连续漏极电流：25A
反向传输电容：140pF@30V
导通电阻：22mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
