品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55.2pF@16V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55.2pF@16V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55.2pF@16V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55.2pF@16V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
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连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
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类型:N沟道
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
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类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55.2pF@16V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
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类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55.2pF@16V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55.2pF@16V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55.2pF@16V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:500pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55.2pF@16V
连续漏极电流:250mA
类型:1个N沟道
导通电阻:990mΩ@4.5V,100mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55.2pF@16V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:500pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55.2pF@16V
连续漏极电流:250mA
类型:1个N沟道
导通电阻:990mΩ@4.5V,100mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55.2pF@16V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
输入电容:55.2pF@16V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
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