品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UFZ-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@16V
连续漏极电流:550mA
类型:1个N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.6V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.6V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.6V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.6V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3900UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:390mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42.2pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:760mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LDWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:800pC@10V
输入电容:19pF@15V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.6V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004DMK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004DMK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.6V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004DMK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004DMK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3900UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:390mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42.2pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:760mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.6V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004DMK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004DMK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004DMK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004DMK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3900UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:390mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42.2pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:760mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3900UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:390mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42.2pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:760mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: