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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3035LWN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：399pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3035LWN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：399pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3G32DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：472pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3035LWN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：399pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
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输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3035LWN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：399pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3G32DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
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输入电容：472pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3035LWN-7
工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4.8A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3035LWN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：399pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3035LWN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
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连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4.8A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3G32DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
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连续漏极电流：5.5A
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导通电阻：28mΩ@6A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3G32DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：472pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3035LWN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
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连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4.8A，10V
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库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3035LWN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4.8A，10V
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库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3035LWN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3035LWN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：399pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3G32DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：472pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3035LWN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：399pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4.8A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3035LWN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：399pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3035LWN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：399pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3G32DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：472pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：ZXMN3G32DN8TA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
功率：1.8W
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ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
连续漏极电流：5.5A
导通电阻：28mΩ@6A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3035LWN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：399pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3G32DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：472pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3G32DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：472pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
