品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FTA
输入电容:219pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
栅极电荷:5.9nC@10V
类型:P沟道
功率:625mW
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:900mA
漏源电压:20V
栅极电荷:0.5nC@4.5V
输入电容:37pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3731U-7
功率:400mW
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:73pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3731U-7
功率:400mW
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:73pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FTA
输入电容:219pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
栅极电荷:5.9nC@10V
类型:P沟道
功率:625mW
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2200UDW-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:900mA
漏源电压:20V
输入电容:184pF@10V
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
功率:450mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FQTA
输入电容:219pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
类型:P沟道
功率:625mW
连续漏极电流:900mA
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3731U-7
功率:400mW
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:73pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FTA
输入电容:219pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
栅极电荷:5.9nC@10V
类型:P沟道
功率:625mW
连续漏极电流:900mA
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2200UDW-13
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:184pF@10V
类型:2个P沟道(双)
连续漏极电流:900mA
漏源电压:20V
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
ECCN:EAR99
功率:450mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
栅极电荷:3.5nC@4.5V
类型:P沟道
输入电容:150pF@15V
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
连续漏极电流:900mA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
栅极电荷:3.5nC@4.5V
类型:P沟道
输入电容:150pF@15V
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
连续漏极电流:900mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
栅极电荷:3.5nC@4.5V
类型:P沟道
输入电容:150pF@15V
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
连续漏极电流:900mA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
栅极电荷:3.5nC@4.5V
类型:P沟道
输入电容:150pF@15V
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
连续漏极电流:900mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3731U-13
功率:400mW
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:73pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FQTA
输入电容:219pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
类型:P沟道
功率:625mW
连续漏极电流:900mA
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FQTA
输入电容:219pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
类型:P沟道
功率:625mW
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2012SN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:178.5pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2200UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2450UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:52pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2200UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3731U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2450UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:52pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2200UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2200UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: