品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601WKQ-7
连续漏极电流:300mA
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@1mA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@115mA,10V
输入电容:22pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:300mW
栅极电荷:0.87nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601TK-7
连续漏极电流:300mA
功率:150mW
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:50pF@25V
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@115mA,10V
输入电容:22pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:300mW
栅极电荷:0.87nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601WK-7
连续漏极电流:300mA
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@1mA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0U-7
连续漏极电流:300mA
功率:520mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:0.6nC@4.5V
漏源电压:50V
类型:N沟道
输入电容:37.1pF@25V
导通电阻:2Ω@50mA,5V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601WK-7
连续漏极电流:300mA
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@1mA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@115mA,10V
输入电容:22pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:300mW
栅极电荷:0.87nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7
阈值电压:1.2V@250µA
功率:350mW
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:39pF@3V
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601K-7
功率:350mW
连续漏极电流:300mA
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:50pF@25V
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@115mA,10V
输入电容:22pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:300mW
栅极电荷:0.87nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601TK-7
连续漏极电流:300mA
功率:150mW
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@1mA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@115mA,10V
输入电容:22pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:300mW
栅极电荷:0.87nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7
阈值电压:1.2V@250µA
功率:350mW
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:39pF@3V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601WK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601TK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:520mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37.1pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:900mV@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.7Ω@200mA,2.7V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601WKQ-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601WK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601WK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601WK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:520mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37.1pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: