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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN601K-7
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功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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功率：350mW
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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功率：350mW
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
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行业应用：工业,汽车
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功率：350mW
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输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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功率：350mW
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601K-7
功率：350mW
连续漏极电流：300mA
导通电阻：2Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
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输入电容：50pF@25V
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G-ES
功率：350mW
阈值电压：1.6V
栅极电荷：1.8nC
输入电容：28pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：1.85Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G-ES
功率：350mW
阈值电压：1.6V
栅极电荷：1.8nC
输入电容：28pF
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类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：1.85Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G-ES
功率：350mW
阈值电压：1.6V
栅极电荷：1.8nC
输入电容：28pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：1.85Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3541T2L-ES
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：300mA
反向传输电容：2.3pF@25V
导通电阻：1.8Ω@10V，0.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3541T2L-ES
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：300mA
反向传输电容：2.3pF@25V
导通电阻：1.8Ω@10V，0.3A
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3541T2L-ES
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：300mA
反向传输电容：2.3pF@25V
导通电阻：1.8Ω@10V，0.3A
漏源电压：60V
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G-ES
功率：350mW
阈值电压：1.6V
栅极电荷：1.8nC
输入电容：28pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：1.85Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G-ES
功率：350mW
阈值电压：1.6V
栅极电荷：1.8nC
输入电容：28pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：1.85Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3541T2L-ES
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250μA
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连续漏极电流：300mA
反向传输电容：2.3pF@25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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