采购热线 400-661-9010
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G-ES
功率：350mW
阈值电压：1.6V
栅极电荷：1.8nC
输入电容：28pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：1.85Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G-ES
功率：350mW
阈值电压：1.6V
栅极电荷：1.8nC
输入电容：28pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：1.85Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G-ES
功率：350mW
阈值电压：1.6V
栅极电荷：1.8nC
输入电容：28pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：1.85Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G-ES
功率：350mW
阈值电压：1.6V
栅极电荷：1.8nC
输入电容：28pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：1.85Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G-ES
功率：350mW
阈值电压：1.6V
栅极电荷：1.8nC
输入电容：28pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：1.85Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@5V，50mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@5V，50mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@4V，100mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@4V，100mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@4V，100mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN5L06KQ-7
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：350mW
连续漏极电流：300mA
导通电阻：2Ω@5V，50mA
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：50V
工作温度：-65℃~+150℃
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
