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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
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功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
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功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@4V，100mA
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@4V，100mA
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
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类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
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