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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：0.3A
类型：N-Channel
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：0.3A
类型：N-Channel
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP32D4S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP32D4S-13
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功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN53D0U-7
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功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：0.3A
类型：N-Channel
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN53D0U-7
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功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：0.3A
类型：N-Channel
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
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规格型号(MPN)：DMP32D4S-13
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功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
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功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
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功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
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输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN53D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：0.3A
类型：N-Channel
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
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功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
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输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：0.3A
类型：N-Channel
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
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规格型号(MPN)：DMN53D0U-13
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功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
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输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
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规格型号(MPN)：DMN53D0U-7
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功率：520mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
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输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：0.3A
类型：N-Channel
导通电阻：2Ω@50mA，5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN53D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：0.3A
类型：N-Channel
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP32D4S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
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输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：0.3A
类型：N-Channel
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：0.3A
类型：N-Channel
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：0.3A
类型：N-Channel
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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