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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2037U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：803pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2037U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：803pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2037U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：803pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2037U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：803pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
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输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
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功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
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输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2037U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@8V
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输入电容：803pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
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功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
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连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
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功率：920mW
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连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
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阈值电压：1.05V@250µA
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输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
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连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
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输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2037U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：803pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2037U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：803pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2037U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：803pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2037U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：803pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2037U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：803pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2037U-13
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
栅极电荷：14.5nC@8V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：803pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：P沟道
漏源电压：20V
导通电阻：28mΩ@2A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.05V@250µA
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）共漏
功率：920mW
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
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