品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306GVTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6250SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€14W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6250SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€14W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6250SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€14W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6250SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6250SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306GVTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306GVTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6250SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6250SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€14W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6250SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€14W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: