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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2038USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1496pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：8.8nC@10V
输入电容：383pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG5802LFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1066.4pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2038USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1496pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2038USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1496pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2038USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1496pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG5802LFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1066.4pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
