采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：8.8nC@10V
输入电容：383pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020UFDB-7
功率：860mW
漏源电压：30V
输入电容：383pF@15V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：21mΩ@6A，10V
类型：1个N沟道+1个P沟道
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：8.8nC@10V
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
