品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H21DHE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:4.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1003pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:21Ω@300mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H21DHE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:4.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1003pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:21Ω@300mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: