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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DMK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：510mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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连续漏极电流：510mA
类型：2N沟道（双）
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规格型号(MPN)：DMN2990UFA-7B
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功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：510mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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阈值电压：1V@250µA
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栅极电荷：0.5nC@4.5V
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功率：700mW
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输入电容：27.6pF@16V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
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导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
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类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
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类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
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功率：700mW
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类型：N沟道
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功率：700mW
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：510mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DMK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：510mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：510mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DMK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：510mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DMK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：510mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DMK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：510mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DMK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：510mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
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