品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.03W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6968pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH3002LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€136W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SCTBQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004SCTB-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.03W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6968pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2242pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2242pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.03W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6968pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:47.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004SCTBQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6002LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:130.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6555pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004SCTBQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6002LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:130.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6555pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2242pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SCTB-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2242pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: