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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004SCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€113W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.65mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004SCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€113W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.65mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004SCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€113W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.65mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004SCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€113W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.65mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004SCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€113W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.65mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004SCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€113W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.65mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004SCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€113W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.65mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004SCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€113W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.65mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004SCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€113W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.65mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004SCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€113W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.65mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004SCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€113W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.65mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4005SCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3062pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
