采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SCTBQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：47.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SCTB-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SCTBQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SCTBQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
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输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
