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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€136W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT34M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2242pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT34M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2242pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMT34M1LPS-13
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMTH3002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€136W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMT34M1LPS-13
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功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
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输入电容：2242pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：2242pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€136W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT34M1LPS-13
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功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
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输入电容：2242pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT34M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
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输入电容：2242pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT34M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2242pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€136W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€136W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT34M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
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输入电容：2242pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€136W
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栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT34M1LPS-13
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功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2242pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT34M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2242pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€136W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
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输入电容：5000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€136W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€136W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT34M1LPS-13
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：42W
输入电容：2242pF@15V
连续漏极电流：100A
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3002LPS-13
功率：1.2W€136W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：77nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
输入电容：5000pF@15V
连续漏极电流：100A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT34M1LPS-13
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：42W
输入电容：2242pF@15V
连续漏极电流：100A
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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