品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC25D1UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@10V
连续漏极电流:500mA€3.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V€12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC25D1UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@10V
连续漏极电流:500mA€3.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V€12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC25D1UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@10V
连续漏极电流:500mA€3.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V€12V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC25D1UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@10V
连续漏极电流:500mA€3.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V€12V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC25D1UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@10V
连续漏极电流:500mA€3.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V€12V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC25D1UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@10V
连续漏极电流:500mA€3.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V€12V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC25D1UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@10V
连续漏极电流:500mA€3.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V€12V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMC25D1UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@10V
连续漏极电流:500mA€3.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V€12V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC25D1UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@10V
连续漏极电流:500mA€3.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V€12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:900pC@10V
输入电容:27.6pF@10V
连续漏极电流:500mA€3.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V€12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:900pC@10V
输入电容:27.6pF@10V
连续漏极电流:500mA€3.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V€12V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC25D1UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@10V
连续漏极电流:500mA€3.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V€12V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC25D1UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@10V
连续漏极电流:500mA€3.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V€12V
包装清单:商品主体 * 1
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