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    品牌: DIODES
    连续漏极电流: 2.3A
    当前匹配商品:100+
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    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM62P02E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:5.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMD63N03XTA 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMD63N03XTA 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMD63N03XTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:135mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6QTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6QTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订数9000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订数9000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@10V,2.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6QTA 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6QTA 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM62P02E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:5.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMD63N03XTA 起订数50个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMD63N03XTA 起订数50个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.04W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:8nC@10V

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:135mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订250个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM62P02E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:5.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMD63N03XTA 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMD63N03XTA 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.04W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:8nC@10V

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:135mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6QTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6QTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6QTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6QTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6QTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6QTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM62P02E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:5.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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