品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
栅极电荷:7nC@10V
连续漏极电流:8.4A
功率:700mW€1.8W
输入电容:393pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
输入电容:1415pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:8.4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
功率:1.2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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