品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051L-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:2.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:5.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:5.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:5.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051L-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:2.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051L-7
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:2.2V@250μA
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
输入电容:424pF@5V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:5.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:5.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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