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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML0030TRPBF-ES
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.7nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：48pF
导通电阻：21mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C-ES
功率：1.4W
阈值电压：1V
栅极电荷：6.7nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：48pF
导通电阻：21mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C-ES
功率：1.4W
阈值电压：1V
栅极电荷：6.7nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：48pF
导通电阻：21mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：2.2V@250μA
导通电阻：38mΩ@10V，5.8A
输入电容：424pF@5V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML0030TRPBF-ES
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.7nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：48pF
导通电阻：21mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C-ES
功率：1.4W
阈值电压：1V
栅极电荷：6.7nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：48pF
导通电阻：21mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML0030TRPBF-ES
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.7nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：48pF
导通电阻：21mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：9.2nC@10V
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：5.8A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
