品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:870pC@10V
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2个N沟道
导通电阻:6Ω@10V,115mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:470mW
阈值电压:2.1V@250μA
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@5V,115mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@5V,115mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,115mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,115mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP510DL-13
导通电阻:10Ω@100mA,5V
包装方式:卷带(TR)
功率:310mW
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:24.6pF@25V
漏源电压:50V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
阈值电压:2V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:23pF@25V
功率:370mW
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:2V@250μA
连续漏极电流:180mA
漏源电压:60V
导通电阻:6Ω@5V,115mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:23pF@25V
功率:370mW
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:2V@250μA
连续漏极电流:180mA
导通电阻:5Ω@10V,115mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:23pF@25V
功率:370mW
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:2V@250μA
连续漏极电流:180mA
导通电阻:5Ω@10V,115mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: