采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.5pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.5pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.5pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7R
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.5pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.54nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.54nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7R
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.5pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.5pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.54nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7R
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.5pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.5pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.54nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7R
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.5pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.5pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.54nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.54nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.54nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.54nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.5pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.5pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7R
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.5pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.5pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.54nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7R
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.5pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.54nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7R
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.5pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7R
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.5pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.54nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.54nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.54nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
