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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1372pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1184pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12mΩ@7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1372pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1372pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3028LPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1372pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1184pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12mΩ@7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1372pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1372pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
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输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2011UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1184pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12mΩ@7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1372pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1372pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1184pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12mΩ@7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1372pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1184pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12mΩ@7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1372pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1372pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1184pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12mΩ@7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1184pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12mΩ@7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1184pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12mΩ@7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1372pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UTS-13
输入电容：2248pF@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：21A
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LPSQ-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：21A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：28mΩ@7A，10V
阈值电压：2.4V@250µA
功率：1.28W
输入电容：1372pF@15V
类型：P沟道
栅极电荷：22nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESD2544
功率：95W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.5nC
输入电容：675pF
连续漏极电流：21A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：55mΩ@10V，7A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
