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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1055UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1028pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1055UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1028pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1055UFDB-7
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功率：1.36W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1055UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1028pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1055UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1028pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1055UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1028pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1055UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1028pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1055UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1028pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1055UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1028pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1055UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1028pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1055UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1028pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
