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    品牌: DIODES
    连续漏极电流: 1.3A
    当前匹配商品:100+
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    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3732UFB4-7B 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3732UFB4-7B 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3732UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40.8pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2600UFB-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2600UFB-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2600UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.85nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70.13pF@15V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订40个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订40个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订62个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订62个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2600UFB-7 起订44个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2600UFB-7 起订44个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2600UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.85nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70.13pF@15V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310UW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310UW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310UW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:450mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310UW-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310UW-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310UW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:450mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2600UFB-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2600UFB-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2600UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.85nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70.13pF@15V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310UW-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310UW-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310UW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:450mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2600UFB-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2600UFB-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2600UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.85nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70.13pF@15V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2600UFB-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2600UFB-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2600UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.85nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70.13pF@15V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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