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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7408SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2024UVTQ-7
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功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：1W
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栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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功率：1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
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功率：1W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN2024UVTQ-7
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功率：1W
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输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2024UVTQ-7
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功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
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输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMG7408SFG-7
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功率：1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：1W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
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功率：1W
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ECCN：EAR99
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输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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ECCN：EAR99
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输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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功率：1W
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连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2024UVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：1W
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栅极电荷：17nC@10V
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连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
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功率：1W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：7A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：DMG7408SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
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连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7408SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
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栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7408SFG-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：23mΩ@10A，10V
工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
功率：1W
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7408SFG-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：23mΩ@10A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
功率：1W
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连续漏极电流：7A
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UVTQ-7
输入电容：647pF@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
漏源电压：20V
功率：1W
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
连续漏极电流：7A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UVTQ-7
输入电容：647pF@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
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功率：1W
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
连续漏极电流：7A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7408SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7408SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7408SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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