采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206GVTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7R
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN13H750S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：130V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN13H750S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：130V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2320UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.89nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：71pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN13H750S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：130V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
